Ostaa BF998WR,115 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BF998WR,115
- Osa numero:
- BF998WR,115
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14692 Pieces
- Tietolomake:
- BF998WR,115.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BF998WR,115, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BF998WR,115 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 8V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 12V |
| transistori tyyppi: | N-Channel Dual Gate |
| Toimittaja Device Package: | CMPAK-4 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SC-82A, SOT-343 |
| Muut nimet: | 568-6182-2 934031450115 BF998WR T/R BF998WR T/R-ND BF998WR,115-ND BF998WR115 |
| Noise Kuva: | 0.6dB |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BF998WR,115 |
| Saada: | - |
| Taajuus: | 200MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 8V 10mA 200MHz CMPAK-4 |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R |
| Nykyinen arvostelu: | 30mA |
| Nykyinen - Testi: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BF998WR,115
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF5S4140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ NI-780 | tiedustelu |
 |
BF998,215 | NXP USA Inc. | MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B | tiedustelu |
 |
ATF-54143-BLKG | Broadcom Limited | FET RF 5V 2GHZ SOT-343 | tiedustelu |
 |
PXAC201202FCV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | tiedustelu |
 |
PTFA181001E V4 T500 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | tiedustelu |
|
BF998R,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143 | tiedustelu |
 |
3SK293(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | FET RF 12.5V 800MHZ USQ | tiedustelu |
|
BF998R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R | tiedustelu |
 |
ON5258,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET RF SOT23 TO-236AB | tiedustelu |
 |
MRFG35010ANR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF | tiedustelu |
 |
2731GN-200M | Microsemi Corporation | FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP | tiedustelu |
|
BF998,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143 | tiedustelu |
 |
MRF6P23190HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers