Ostaa BFR30,215 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BFR30,215
- Osa numero:
- BFR30,215
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16523 Pieces
- Tietolomake:
- BFR30,215.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BFR30,215, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BFR30,215 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Cutoff (VGS off) @ Id: | 5V @ 0.5nA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | SOT-23 (TO-236AB) |
| Sarja: | - |
| Resistance - RDS (On): | - |
| Virta - Max: | 250mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | 568-6203-2 933163480215 BFR30 T/R BFR30 T/R-ND BFR30,215-ND BFR30215 |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BFR30,215 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4pF @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| Laajennettu kuvaus: | JFET N-Channel 4mA @ 10V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 25V |
| Kuvaus: | JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 |
| Nykyinen Drain (Id) - Max: | 10mA |
| Nykyinen - Drain (IDSs) @ Vds (Vgs = 0): | 4mA @ 10V |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BFR30,215
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BFR30,235 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 | tiedustelu |
 |
2N4857JTXL02 | Vishay Siliconix | JFET N-CH 40V 360MA TO-18 | tiedustelu |
 |
TF256-3-TL-H | ON Semiconductor | JFET N-CH 1MA 30MW USFP | tiedustelu |
|
2N4339-2 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA | tiedustelu |
|
2N5546JTXL01 | Vishay Siliconix | JFET N-CH 50V TO-71 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog