Ostaa BG3130RH6327XTSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BG3130RH6327XTSA1
- Osa numero:
- BG3130RH6327XTSA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15650 Pieces
- Tietolomake:
- BG3130RH6327XTSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BG3130RH6327XTSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BG3130RH6327XTSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 5V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 8V |
| transistori tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | PG-SOT363-6 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Muut nimet: | BG 3130R H6327 BG 3130R H6327-ND SP000753496 |
| Noise Kuva: | 1.3dB |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BG3130RH6327XTSA1 |
| Saada: | 24dB |
| Taajuus: | 800MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6 |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
| Nykyinen arvostelu: | 25mA |
| Nykyinen - Testi: | 14mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BG3130RH6327XTSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BG3130H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | tiedustelu |
|
BG3130RE6327BTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 | tiedustelu |
 |
BF1217WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL SOT343R | tiedustelu |
 |
CGHV35060MP | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP | tiedustelu |
|
BG3130E6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 | tiedustelu |
 |
PD85025C | STMicroelectronics | FET RF 40V 945MHZ M243 | tiedustelu |
 |
MRF5S19100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | tiedustelu |
 |
BLF8G20LS-220U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | tiedustelu |
|
MRF21030LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-400 | tiedustelu |
 |
BLF6G15L-250PBRN,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A | tiedustelu |
 |
MAGX-001090-600L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 600W | tiedustelu |
 |
MRFE6S9205HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog