Ostaa BG5120KE6327HTSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BG5120KE6327HTSA1
- Osa numero:
- BG5120KE6327HTSA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14729 Pieces
- Tietolomake:
- BG5120KE6327HTSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BG5120KE6327HTSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BG5120KE6327HTSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 5V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 8V |
| transistori tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | PG-SOT363-6 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Muut nimet: | BG 5120K E6327 BG 5120K E6327-ND SP000292148 |
| Noise Kuva: | 1.1dB |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BG5120KE6327HTSA1 |
| Saada: | 23dB |
| Taajuus: | 800MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 10mA 800MHz 23dB PG-SOT363-6 |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363 |
| Nykyinen arvostelu: | 20mA |
| Nykyinen - Testi: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BG5120KE6327HTSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6S9045MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | tiedustelu |
 |
BF1201WR,135 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | tiedustelu |
 |
GTVA220701FAV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | tiedustelu |
|
MRF7S21170HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | tiedustelu |
 |
LET9180 | STMicroelectronics | IC RF TRANSISTOR LDMOS M246 | tiedustelu |
 |
MAGX-002731-180L00 | M/A-Com Technology Solutions | FETS RF GAN HEMT 180W 2.7-3.1GHZ | tiedustelu |
 |
MRFE6S9045NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 | tiedustelu |
 |
J309_D26Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 30MA TO92 | tiedustelu |
 |
BG5120KH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT363 | tiedustelu |
 |
PTFA212401F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 | tiedustelu |
|
BF1204,135 | NXP USA Inc. | FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP | tiedustelu |
 |
PTFA041501GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog