Ostaa BLA6G1011-200R,112 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BLA6G1011-200R,112
- Osa numero:
- BLA6G1011-200R,112
- Valmistaja:
- Ampleon
- Kuvaus:
- RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19855 Pieces
- Tietolomake:
- BLA6G1011-200R,112.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BLA6G1011-200R,112, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BLA6G1011-200R,112 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | LDMOST |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 200W |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | SOT-502A |
| Muut nimet: | 568-7544 934063602112 BLA6G1011-200R,112-ND BLA6G1011200R112 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BLA6G1011-200R,112 |
| Saada: | 20dB |
| Taajuus: | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 20dB 200W LDMOST |
| Kuvaus: | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A |
| Nykyinen arvostelu: | 49A |
| Nykyinen - Testi: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BLA6G1011-200R,112
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
A2G22S160-01SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | tiedustelu |
 |
BLA6G1011L-200RG,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D | tiedustelu |
 |
BLA6G1011LS-200RG, | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C | tiedustelu |
 |
PTFA082201EV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 | tiedustelu |
 |
BLF2425M7L140,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A | tiedustelu |
 |
ATF-331M4-BLK | Broadcom Limited | IC PHEMT LOW NOISE 2GHZ MINIPAK | tiedustelu |
|
MRF6S21140HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ NI-880S | tiedustelu |
 |
MMBF4416LT1G | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 15MA SOT23 | tiedustelu |
|
MRFE6S9201HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-780S | tiedustelu |
 |
MRFE6S9046GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 960MHZ TO-270-4 | tiedustelu |
 |
MRFE6VP6600NR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 600W 50V | tiedustelu |
|
MRF5S21150HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog