Ostaa BLF368,112 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BLF368,112
- Osa numero:
- BLF368,112
- Valmistaja:
- Ampleon
- Kuvaus:
- RF FET 2 NC 65V 13.5DB SOT262A1
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18744 Pieces
- Tietolomake:
- BLF368,112.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BLF368,112, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BLF368,112 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 32V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Toimittaja Device Package: | CDFM4 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 300W |
| Pakkaus: | Tray |
| Pakkaus / Case: | SOT-262A1 |
| Muut nimet: | 568-2390 933978490112 BLF368 BLF368-ND |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BLF368,112 |
| Saada: | 13.5dB |
| Taajuus: | 225MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 32V 250mA 225MHz 13.5dB 300W CDFM4 |
| Kuvaus: | RF FET 2 NC 65V 13.5DB SOT262A1 |
| Nykyinen arvostelu: | 25A |
| Nykyinen - Testi: | 250mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BLF368,112
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF9060LSR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | tiedustelu |
 |
BF908,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 40MA SOT143B | tiedustelu |
 |
BLF6G24-180PN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A | tiedustelu |
 |
ATF-33143-TR2G | Broadcom Limited | FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 | tiedustelu |
 |
BLF7G27LS-150P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B | tiedustelu |
 |
SHF-0189 | RFMD | FET RF 9V 1.96GHZ SOT-89 | tiedustelu |
 |
PTFA261301E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 | tiedustelu |
 |
3SK264-5-TG-E | ON Semiconductor | FET RF 15V 200MHZ CP4 | tiedustelu |
 |
MMRF1018NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 860MHZ | tiedustelu |
 |
MAGX-001214-650L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 650W 1.2-1.4GHZ | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog