Ostaa BLL6H0514LS-130,11 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BLL6H0514LS-130,11
- Osa numero:
- BLL6H0514LS-130,11
- Valmistaja:
- Ampleon
- Kuvaus:
- RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16676 Pieces
- Tietolomake:
- BLL6H0514LS-130,11.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BLL6H0514LS-130,11, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BLL6H0514LS-130,11 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 50V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 100V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | CDFM2 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 130W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | SOT-1135B |
| Muut nimet: | 568-7558-5 934064571112 BLL6H0514LS-130,11-ND BLL6H0514LS13011 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BLL6H0514LS-130,11 |
| Saada: | 17dB |
| Taajuus: | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 50V 50mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 17dB 130W CDFM2 |
| Kuvaus: | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B |
| Nykyinen arvostelu: | 18A |
| Nykyinen - Testi: | 50mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BLL6H0514LS-130,11
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLL6H1214LS-250,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B | tiedustelu |
 |
BLL6H0514L-130,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A | tiedustelu |
 |
BLL6H0514-25,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C | tiedustelu |
|
BLL6H1214LS-500,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B | tiedustelu |
 |
BLF7G20LS-90P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B | tiedustelu |
 |
NE34018-64-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | tiedustelu |
 |
A2I25H060GNR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | tiedustelu |
 |
MRF5S21130HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | tiedustelu |
 |
BLL6H1214P2S-250Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE | tiedustelu |
 |
NE5550779A-T1-A | CEL | FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG | tiedustelu |
 |
BLL6H1214L-250,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A | tiedustelu |
 |
BLL6H1214-500,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog