Ostaa BLM8G0710S-30PBY BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BLM8G0710S-30PBY
- Osa numero:
- BLM8G0710S-30PBY
- Valmistaja:
- Ampleon
- Kuvaus:
- RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18170 Pieces
- Tietolomake:
- BLM8G0710S-30PBY.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BLM8G0710S-30PBY, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BLM8G0710S-30PBY sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | 16-HSOPF |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 3W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-1211-2 |
| Muut nimet: | 568-12808-2 934068892518 BLM8G0710S-30PBY-ND |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BLM8G0710S-30PBY |
| Saada: | 35dB |
| Taajuus: | 957.5MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 30mA 957.5MHz 35dB 3W 16-HSOPF |
| Kuvaus: | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 30mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BLM8G0710S-30PBY
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLM8G0710S-15PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122 | tiedustelu |
 |
BLM8G0710S-60PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122 | tiedustelu |
 |
BLM8G0710S-45ABY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | tiedustelu |
 |
BLM8G0710S-45ABGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122 | tiedustelu |
 |
BLM8G0710S-60PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112 | tiedustelu |
 |
BLM8G0710S-15PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog