BS108,126
BS108,126
Osa numero:
BS108,126
Valmistaja:
NXP Semiconductors / Freescale
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19124 Pieces
Tietolomake:
BS108,126.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BS108,126, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BS108,126 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BS108,126 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.8V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-92-3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:5 Ohm @ 100mA, 2.8V
Tehonkulutus (Max):1W (Ta)
Pakkaus:Tape & Box (TB)
Pakkaus / Case:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Muut nimet:934003840126
BS108 AMO
BS108 AMO-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BS108,126
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:120pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 200V 300mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Valua lähde jännite (Vdss):200V
Kuvaus:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:300mA (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit