Ostaa BS170RL1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 350mW (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Muut nimet: | BS170RL1G-ND BS170RL1GOSTR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | BS170RL1G |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 500mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 500mA (Ta) |
Email: | [email protected] |