BSB053N03LP G
BSB053N03LP G
Osa numero:
BSB053N03LP G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19159 Pieces
Tietolomake:
BSB053N03LP G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSB053N03LP G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSB053N03LP G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSB053N03LP G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.3 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.3W (Ta), 42W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:3-WDSON
Muut nimet:SP000597830
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan osanumero:BSB053N03LP G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 17A (Ta), 71A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:17A (Ta), 71A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit