BSC024N025S G
BSC024N025S G
Osa numero:
BSC024N025S G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19730 Pieces
Tietolomake:
BSC024N025S G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSC024N025S G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSC024N025S G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSC024N025S G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 90µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TDSON-8
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:2.4 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:BSC024N025SGXT
SP000095464
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BSC024N025S G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6530pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:52nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 25V 27A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Valua lähde jännite (Vdss):25V
Kuvaus:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:27A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit