Ostaa BSC042N03S G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BSC042N03S G
- Osa numero:
- BSC042N03S G
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17187 Pieces
- Tietolomake:
- BSC042N03S G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BSC042N03S G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSC042N03S G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 50µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TDSON-8 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.8W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerTDFN |
| Muut nimet: | BSC042N03S G-ND BSC042N03SGINTR BSC042N03SGXT SP000056191 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan osanumero: | BSC042N03S G |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3660pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 20A (Ta), 95A (Tc) 2.8W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 20A (Ta), 95A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BSC042N03S G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BSC042NE7NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 | tiedustelu |
|
BSC040N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON | tiedustelu |
|
BSC042N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 | tiedustelu |
|
BSC042N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 | tiedustelu |
|
BSC046N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 | tiedustelu |
|
BSC042N03ST | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 | tiedustelu |
|
BSC040N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON | tiedustelu |
|
BSC047N08NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 | tiedustelu |
|
BSC048N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8 | tiedustelu |
|
BSC046N02KS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers