BSC059N03S G
BSC059N03S G
Osa numero:
BSC059N03S G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15772 Pieces
Tietolomake:
BSC059N03S G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSC059N03S G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSC059N03S G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSC059N03S G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 35µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TDSON-8
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):17.5W (Ta), 48W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:BSC059N03S G-ND
BSC059N03SGINTR
BSC059N03SGXT
SP000056194
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BSC059N03S G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2670pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 17.5A (Ta), 73A (Tc) 17.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:17.5A (Ta), 73A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit