Ostaa BSC060P03NS3E G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.1V @ 150µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±25V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TDSON-8 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6 mOhm @ 50A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-PowerTDFN |
Muut nimet: | BSC060P03NS3E G-ND BSC060P03NS3EG BSC060P03NS3EGATMA1 SP000472984 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | BSC060P03NS3E G |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6020pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 81nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 30V 17.7A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 17.7A (Ta), 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |