BSC600N25NS3 G
BSC600N25NS3 G
Osa numero:
BSC600N25NS3 G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15107 Pieces
Tietolomake:
BSC600N25NS3 G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSC600N25NS3 G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSC600N25NS3 G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSC600N25NS3 G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 90µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TDSON-8
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 25A, 10V
Tehonkulutus (Max):125W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:BSC600N25NS3 G-ND
BSC600N25NS3 GTR
BSC600N25NS3G
BSC600N25NS3GATMA1
SP000676402
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:BSC600N25NS3 G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2350pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 250V 25A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):250V
Kuvaus:MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit