BSO033N03MSGXUMA1
BSO033N03MSGXUMA1
Osa numero:
BSO033N03MSGXUMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18106 Pieces
Tietolomake:
BSO033N03MSGXUMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSO033N03MSGXUMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSO033N03MSGXUMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSO033N03MSGXUMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-DSO-8
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.3 mOhm @ 22A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.56W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:BSO033N03MS G
BSO033N03MS G-ND
BSO033N03MS GINTR
BSO033N03MS GINTR-ND
BSO033N03MSG
BSO033N03MSGXUMA1TR
SP000446072
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:BSO033N03MSGXUMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:9600pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:124nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 17A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:17A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit