BSO080P03S H
BSO080P03S H
Osa numero:
BSO080P03S H
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12858 Pieces
Tietolomake:
BSO080P03S H.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSO080P03S H, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSO080P03S H sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSO080P03S H BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:P-DSO-8
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 14.9A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.79W (Ta)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:BSO080P03S HDKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:BSO080P03S H
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5890pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:136nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 30V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount P-DSO-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:12.6A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit