Ostaa BSO080P03S H BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BSO080P03S H
- Osa numero:
- BSO080P03S H
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12858 Pieces
- Tietolomake:
- BSO080P03S H.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BSO080P03S H, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSO080P03S H sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | P-DSO-8 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 8 mOhm @ 14.9A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.79W (Ta) |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | BSO080P03S HDKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BSO080P03S H |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5890pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 136nC @ 10V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 30V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount P-DSO-8 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 12.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BSO080P03S H
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
CSD17313Q2Q1 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5A 6SON | tiedustelu |
 |
BSO083N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO | tiedustelu |
 |
DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | tiedustelu |
|
BSO080P03NS3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO | tiedustelu |
 |
R6020KNX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3 | tiedustelu |
|
BSO080P03SNTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | tiedustelu |
 |
NTHD4N02FT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET | tiedustelu |
|
BSO080P03NS3EGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO | tiedustelu |
 |
IXTA180N085T7 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog