BSO200P03SNTMA1
BSO200P03SNTMA1
Osa numero:
BSO200P03SNTMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15019 Pieces
Tietolomake:
BSO200P03SNTMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSO200P03SNTMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSO200P03SNTMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSO200P03SNTMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 100µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-DSO-8
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 9.1A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.56W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:BSO200P03S
BSO200P03S-ND
BSO200P03SNT
BSO200P03ST
SP000014959
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BSO200P03SNTMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2330pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 30V 7.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7.4A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit