Ostaa BSO220N03MD G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BSO220N03MD G
- Osa numero:
- BSO220N03MD G
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13868 Pieces
- Tietolomake:
- BSO220N03MD G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BSO220N03MD G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSO220N03MD G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PG-DSO-8 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 22 mOhm @ 7.7A, 10V |
| Virta - Max: | 1.4W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | BSO220N03MD G-ND BSO220N03MD GTR BSO220N03MDG BSO220N03MDGXUMA1 SP000447478 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BSO220N03MD G |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 6A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BSO220N03MD G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMS3019SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO | tiedustelu |
 |
BSO220N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO | tiedustelu |
 |
SI4900DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
SI7922DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8 | tiedustelu |
|
NDS9945 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
UP04979G0L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6 | tiedustelu |
 |
APTMC60TLM14CAG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C | tiedustelu |
|
APTM20AM05FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 | tiedustelu |
 |
SI5519DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs | tiedustelu |
 |
FDQ7236AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14-SOIC | tiedustelu |
 |
GWM120-0075P3 | IXYS | MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog