Ostaa BSO612CV BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BSO612CV
- Osa numero:
- BSO612CV
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18074 Pieces
- Tietolomake:
- BSO612CV.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BSO612CV, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSO612CV sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 20µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | P-DSO-8 |
| Sarja: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 3A, 10V |
| Virta - Max: | 2W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | BSO612CVINTR SP000012292 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BSO612CV |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 340pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.5nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount P-DSO-8 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3A, 2A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BSO612CV
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BSO615N G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | tiedustelu |
 |
SIRB40DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 40A SO8 | tiedustelu |
 |
DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020 | tiedustelu |
|
BSO615CT | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | tiedustelu |
 |
APTM100DSK35T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | tiedustelu |
|
BSO612CVGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
DMN53D0LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 | tiedustelu |
 |
SLA5037 | Sanken | MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP | tiedustelu |
|
BSO613SPV G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | tiedustelu |
 |
AO4807L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC | tiedustelu |
|
BSO613SPV | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | tiedustelu |
|
BSO615C G | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | tiedustelu |
|
BSO615N | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog