Ostaa BSP129E6327T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BSP129E6327T
- Osa numero:
- BSP129E6327T
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15045 Pieces
- Tietolomake:
- BSP129E6327T.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BSP129E6327T, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSP129E6327T sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 108µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-SOT223-4 |
| Sarja: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6 Ohm @ 350mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.8W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-261-4, TO-261AA |
| Muut nimet: | BSP129XTINTR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BSP129E6327T |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 108pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.7nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | Depletion Mode |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 240V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 240V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 350mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BSP129E6327T
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BSP129E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 | tiedustelu |
|
BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | tiedustelu |
|
BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 | tiedustelu |
|
BSP125 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 | tiedustelu |
|
BSP129L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP129L6906HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP123E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | tiedustelu |
|
BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 | tiedustelu |
|
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog