Ostaa BSP320S E6327 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BSP320S E6327
- Osa numero:
- BSP320S E6327
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15757 Pieces
- Tietolomake:
- BSP320S E6327.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BSP320S E6327, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSP320S E6327 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 20µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-SOT223-4 |
| Sarja: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.8W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-261-4, TO-261AA |
| Muut nimet: | BSP320SE6327T SP000011115 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BSP320S E6327 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 340pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BSP320S E6327
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BSP320SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 | tiedustelu |
 |
BSP321PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223 | tiedustelu |
|
BSP320SL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP320SL6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP320S E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP322PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP322PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP324H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP320SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223 | tiedustelu |
|
BSP321PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP324L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog