BSP52T3G
BSP52T3G
Osa numero:
BSP52T3G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17525 Pieces
Tietolomake:
BSP52T3G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSP52T3G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSP52T3G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSP52T3G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.3V @ 500µA, 500mA
transistori tyyppi:NPN - Darlington
Toimittaja Device Package:SOT-223
Sarja:-
Virta - Max:800mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-261-4, TO-261AA
Muut nimet:BSP52T3G-ND
BSP52T3GOSTR
Käyttölämpötila:-65°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:BSP52T3G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1A 800mW Surface Mount SOT-223
Kuvaus:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:2000 @ 500mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):10µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):1A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit