BSS123L6327HTSA1
Osa numero:
BSS123L6327HTSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19979 Pieces
Tietolomake:
BSS123L6327HTSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSS123L6327HTSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSS123L6327HTSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSS123L6327HTSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.8V @ 50µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-SOT23-3
Sarja:SIPMOS®
RDS (Max) @ Id, Vgs:6 Ohm @ 170mA, 10V
Tehonkulutus (Max):360mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:BSS123 L6327
BSS123 L6327-ND
BSS123L6327INTR
BSS123L6327INTR-ND
BSS123L6327XT
SP000084574
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BSS123L6327HTSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:69pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.67nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:170mA (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit