Ostaa BSS123WQ-7-F BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BSS123WQ-7-F
- Osa numero:
- BSS123WQ-7-F
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14806 Pieces
- Tietolomake:
- BSS123WQ-7-F.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BSS123WQ-7-F, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSS123WQ-7-F sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | SOT-323 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 200mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SC-70, SOT-323 |
| Muut nimet: | BSS123WQ-7-FDITR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BSS123WQ-7-F |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 170mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-323 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 170mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BSS123WQ-7-F
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS123-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | tiedustelu |
|
BSS123-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | tiedustelu |
|
BSS123ATA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | tiedustelu |
|
BSS123TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | tiedustelu |
|
BSS123ATC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | tiedustelu |
 |
DMP1022UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN | tiedustelu |
 |
BSS123W-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 | tiedustelu |
 |
GP2M013A050F | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 13A TO220F | tiedustelu |
|
BSS123TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | tiedustelu |
|
BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 | tiedustelu |
|
BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 | tiedustelu |
|
BSS127S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers