BSS138LT1G
BSS138LT1G
Osa numero:
BSS138LT1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12251 Pieces
Tietolomake:
BSS138LT1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSS138LT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSS138LT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSS138LT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Tehonkulutus (Max):225mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:BSS138LT1GOSTR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:36 Weeks
Valmistajan osanumero:BSS138LT1G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 50V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V
Valua lähde jännite (Vdss):50V
Kuvaus:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit