Ostaa BSS7728NH6327XTSA2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BSS7728NH6327XTSA2
- Osa numero:
- BSS7728NH6327XTSA2
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17018 Pieces
- Tietolomake:
- BSS7728NH6327XTSA2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BSS7728NH6327XTSA2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSS7728NH6327XTSA2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 26µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-SOT23-3 |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 360mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | SP000929184 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BSS7728NH6327XTSA2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 56pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.5nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BSS7728NH6327XTSA2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS7728NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 | tiedustelu |
|
BSS7728N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
AUIRFN8403TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN | tiedustelu |
|
BSS7728NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
RE1J002YNTCL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM | tiedustelu |
 |
IRL520NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB | tiedustelu |
|
94-4156PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK | tiedustelu |
 |
STL16N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT | tiedustelu |
 |
FKI10300 | Sanken | MOSFET N-CH 100V 23A TO-220F | tiedustelu |
 |
IXTP10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog