Ostaa BSZ050N03MSGATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BSZ050N03MSGATMA1
- Osa numero:
- BSZ050N03MSGATMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14086 Pieces
- Tietolomake:
- BSZ050N03MSGATMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BSZ050N03MSGATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSZ050N03MSGATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TSDSON-8 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.1W (Ta), 48W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerTDFN |
| Muut nimet: | BSZ050N03MS G BSZ050N03MSG BSZ050N03MSGINTR BSZ050N03MSGINTR-ND BSZ050N03MSGXT SP000311518 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BSZ050N03MSGATMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3600pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 15A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BSZ050N03MSGATMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN4A06KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK | tiedustelu |
 |
BSZ0503NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A 8SON | tiedustelu |
|
BSZ0500NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A 8SON | tiedustelu |
 |
BUK9230-80EJ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V DPAK | tiedustelu |
|
BSZ0506NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON | tiedustelu |
|
BSZ0501NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 25A 8SON | tiedustelu |
 |
BSZ050N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | tiedustelu |
|
BSZ058N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | tiedustelu |
|
BSZ058N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | tiedustelu |
|
BSZ0502NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A 8SON | tiedustelu |
 |
IRF8252TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO | tiedustelu |
 |
VM0550-2F | IXYS | MOSFET N-CH 100V 590A MODULE | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog