BSZ088N03LSGATMA1
BSZ088N03LSGATMA1
Osa numero:
BSZ088N03LSGATMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15152 Pieces
Tietolomake:
BSZ088N03LSGATMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSZ088N03LSGATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSZ088N03LSGATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSZ088N03LSGATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TSDSON-8
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:8.8 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.1W (Ta), 35W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:BSZ088N03LS G
BSZ088N03LSG
BSZ088N03LSGINTR
BSZ088N03LSGINTR-ND
BSZ088N03LSGXT
SP000304138
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:BSZ088N03LSGATMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 40A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit
Loading...