BSZ130N03LS G
BSZ130N03LS G
Osa numero:
BSZ130N03LS G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12491 Pieces
Tietolomake:
BSZ130N03LS G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSZ130N03LS G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSZ130N03LS G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSZ130N03LS G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TSDSON-8
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:13 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.1W (Ta), 25W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:BSZ130N03LSG
BSZ130N03LSGATMA1
BSZ130N03LSGINTR
BSZ130N03LSGXT
SP000278810
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:BSZ130N03LS G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:970pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 10A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:10A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit