BSZ340N08NS3 G
BSZ340N08NS3 G
Osa numero:
BSZ340N08NS3 G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19903 Pieces
Tietolomake:
BSZ340N08NS3 G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSZ340N08NS3 G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSZ340N08NS3 G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSZ340N08NS3 G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 12µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TSDSON-8
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:34 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.1W (Ta), 32W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:BSZ340N08NS3G
BSZ340N08NS3GATMA1
BSZ340N08NS3GINTR
BSZ340N08NS3GXT
SP000443634
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:BSZ340N08NS3 G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:630pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.1nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 80V 6A (Ta), 23A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):80V
Kuvaus:MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6A (Ta), 23A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit