BUB323ZT4G
BUB323ZT4G
Osa numero:
BUB323ZT4G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16155 Pieces
Tietolomake:
BUB323ZT4G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BUB323ZT4G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BUB323ZT4G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BUB323ZT4G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.7V @ 250mA, 10A
transistori tyyppi:NPN - Darlington
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:-
Virta - Max:150W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:BUB323ZT4GOS
BUB323ZT4GOS-ND
BUB323ZT4GOSTR
Käyttölämpötila:-65°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:20 Weeks
Valmistajan osanumero:BUB323ZT4G
Taajuus - Siirtyminen:2MHz
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Surface Mount D2PAK
Kuvaus:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:500 @ 5A, 4.6V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):10A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit