BUJ403A/DG,127
BUJ403A/DG,127
Osa numero:
BUJ403A/DG,127
Valmistaja:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Kuvaus:
TRANS NPN 550V 6A TO220AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17534 Pieces
Tietolomake:
BUJ403A/DG,127.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BUJ403A/DG,127, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BUJ403A/DG,127 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BUJ403A/DG,127 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):550V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1V @ 400mA, 2A
transistori tyyppi:NPN
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:-
Virta - Max:100W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:934065586127
BUJ403ADG127
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:BUJ403A/DG,127
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor NPN 550V 6A 100W Through Hole TO-220AB
Kuvaus:TRANS NPN 550V 6A TO220AB
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 500mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100µA
Nykyinen - Collector (le) (Max):6A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit