BUK652R0-30C,127
BUK652R0-30C,127
Osa numero:
BUK652R0-30C,127
Valmistaja:
NXP Semiconductors / Freescale
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12525 Pieces
Tietolomake:
BUK652R0-30C,127.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BUK652R0-30C,127, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BUK652R0-30C,127 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BUK652R0-30C,127 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.8V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:TrenchMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:2.2 mOhm @ 25A, 10V
Tehonkulutus (Max):306W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:568-7490-5
934064466127
BUK652R0-30C,127-ND
BUK652R030C127
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BUK652R0-30C,127
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:14964pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:229nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220AB
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit