Ostaa BUK951R6-30E,127 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 1mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
Sarja: | TrenchMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 349W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Muut nimet: | 568-9859-5 934066519127 BUK951R630E127 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | BUK951R6-30E,127 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 16150pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 113nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |