Ostaa BUK961R7-40E,118 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BUK961R7-40E,118
- Osa numero:
- BUK961R7-40E,118
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12240 Pieces
- Tietolomake:
- BUK961R7-40E,118.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BUK961R7-40E,118, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BUK961R7-40E,118 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 1mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Sarja: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 324W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | 568-10248-2 934066439118 BUK961R7-40E,118-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BUK961R7-40E,118 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 15010pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 105.4nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 40V 120A (Tc) 324W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BUK961R7-40E,118
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK9616-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK | tiedustelu |
|
BUK9623-75A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK | tiedustelu |
|
BUK961R5-30E,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | tiedustelu |
|
BUK9635-55,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK | tiedustelu |
|
BUK968R3-40E,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | tiedustelu |
|
BUK96150-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 13A D2PAK | tiedustelu |
|
BUK961R4-30E,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | tiedustelu |
|
BUK962R1-40E,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | tiedustelu |
 |
BUK9675-100A/C1J | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH LFPAK | tiedustelu |
|
BUK9611-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | tiedustelu |
|
BUK9608-55,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | tiedustelu |
|
BUK9618-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK | tiedustelu |
|
BUK9609-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | tiedustelu |
|
BUK9610-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog