BUK965R8-100E,118
BUK965R8-100E,118
Osa numero:
BUK965R8-100E,118
Valmistaja:
Nexperia
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18595 Pieces
Tietolomake:
BUK965R8-100E,118.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BUK965R8-100E,118, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BUK965R8-100E,118 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BUK965R8-100E,118 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.8 mOhm @ 25A, 5V
Tehonkulutus (Max):357W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:1727-7137-6
568-9570-6
568-9570-6-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:20 Weeks
Valmistajan osanumero:BUK965R8-100E,118
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:17460pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:133nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 120A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit