BUK9Y19-100E,115
BUK9Y19-100E,115
Osa numero:
BUK9Y19-100E,115
Valmistaja:
Nexperia
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17789 Pieces
Tietolomake:
BUK9Y19-100E,115.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BUK9Y19-100E,115, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BUK9Y19-100E,115 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BUK9Y19-100E,115 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:LFPAK56, Power-SO8
Sarja:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 15A, 10V
Tehonkulutus (Max):167W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-100, SOT-669
Muut nimet:1727-1855-2
568-11546-2
568-11546-2-ND
934066629115
BUK9Y19-100E,115-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BUK9Y19-100E,115
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5085pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 56A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:56A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit