Ostaa C3M0065100J BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
C3M0065100J
- Osa numero:
- C3M0065100J
- Valmistaja:
- Cree
- Kuvaus:
- 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13109 Pieces
- Tietolomake:
- C3M0065100J.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä C3M0065100J, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma C3M0065100J sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +15V, -4V |
| teknologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK-7 |
| Sarja: | C3M™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Tehonkulutus (Max): | 113.5W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | C3M0065100J |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 600V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 15V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Kuvaus: | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat C3M0065100J
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
C3M0065100K | Cree/Wolfspeed | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET | tiedustelu |
 |
C3M0065090J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | tiedustelu |
 |
FQD17N08LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK | tiedustelu |
|
C3M0065090J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | tiedustelu |
 |
STP35N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 28A | tiedustelu |
 |
PMPB40SNA,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | tiedustelu |
 |
C3M0065090D | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 | tiedustelu |
 |
C3M0075120K | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4 | tiedustelu |
 |
PHT6N06T,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers