Ostaa C3M0120090J-TR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
C3M0120090J-TR
- Osa numero:
- C3M0120090J-TR
- Valmistaja:
- Cree
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 900V 22A
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18437 Pieces
- Tietolomake:
- C3M0120090J-TR.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä C3M0120090J-TR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma C3M0120090J-TR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 3mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +18V, -8V |
| teknologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK-7 |
| Sarja: | C3M™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| Tehonkulutus (Max): | 83W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Muut nimet: | C3M0120090J-TRTR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan osanumero: | C3M0120090J-TR |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 600V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.3nC @ 15V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 900V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 900V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 900V 22A |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat C3M0120090J-TR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
C3M0120090J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 22A | tiedustelu |
 |
C3M0120090D | Cree/Wolfspeed | 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET | tiedustelu |
 |
C3M0120100J | Cree/Wolfspeed | 1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET | tiedustelu |
 |
FQI6N40CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK | tiedustelu |
 |
C3M0120100K | Cree/Wolfspeed | 1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog