C4D08120E-TR
C4D08120E-TR
Osa numero:
C4D08120E-TR
Valmistaja:
Cree
Kuvaus:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 24.5A TO252
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16438 Pieces
Tietolomake:
C4D08120E-TR.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä C4D08120E-TR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma C4D08120E-TR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa C4D08120E-TR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.8V @ 8A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):1200V (1.2kV)
Toimittaja Device Package:TO-252-2
Nopeus:No Recovery Time > 500mA (Io)
Sarja:Z-Rec®
Käänteinen Recovery Time (TRR):0ns
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila - liitäntä:-55°C ~ 175°C
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:5 Weeks
Valmistajan osanumero:C4D08120E-TR
Laajennettu kuvaus:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 24.5A Surface Mount TO-252-2
diodi Tyyppi:Silicon Carbide Schottky
Kuvaus:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 24.5A TO252
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:250µA @ 1200V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):24.5A
Kapasitanssi @ Vr, F:560pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit