Ostaa CE3521M4-C2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
CE3521M4-C2
- Osa numero:
- CE3521M4-C2
- Valmistaja:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Kuvaus:
- RF FET 4V 20GHZ SOT343
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19999 Pieces
- Tietolomake:
- CE3521M4-C2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä CE3521M4-C2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma CE3521M4-C2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 2V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 4V |
| transistori tyyppi: | pHEMT FET |
| Toimittaja Device Package: | 4-Super Mini Mold |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 125mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SC-82A, SOT-343 |
| Muut nimet: | CE3521M4-C2TR |
| Noise Kuva: | 1.05dB |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | CE3521M4-C2 |
| Saada: | 11.9dB |
| Taajuus: | 20GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 20GHz 11.9dB 125mW 4-Super Mini Mold |
| Kuvaus: | RF FET 4V 20GHZ SOT343 |
| Nykyinen arvostelu: | 15mA |
| Nykyinen - Testi: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat CE3521M4-C2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MW6S010GMR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | tiedustelu |
 |
BLF7G27L-90P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A | tiedustelu |
 |
CE3521M4 | CEL | RF FET 4V 20GHZ SOT343 | tiedustelu |
 |
PD85004 | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | tiedustelu |
 |
CE3520K3 | CEL | RF FET 4V 20GHZ 4MICROX | tiedustelu |
 |
BLS6G2731-6G,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 15DB SOT975C | tiedustelu |
|
A2T21S260-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | tiedustelu |
|
CE3520K3-C1 | CEL | RF FET 4V 20GHZ 4MICROX | tiedustelu |
 |
BF1202WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | tiedustelu |
 |
MAGX-001214-250L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 250W 1.2-1.4GHZ | tiedustelu |
 |
MMBFJ310LT3G | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 60MA SOT23 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog