Ostaa CGH80030D BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
CGH80030D
- Osa numero:
- CGH80030D
- Valmistaja:
- Cree
- Kuvaus:
- RF MOSFET HEMT 28V DIE
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16140 Pieces
- Tietolomake:
- CGH80030D.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä CGH80030D, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma CGH80030D sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 84V |
| transistori tyyppi: | HEMT |
| Toimittaja Device Package: | Die |
| Sarja: | GaN |
| Virta - Output: | 30W |
| Pakkaus: | Tray |
| Pakkaus / Case: | Die |
| Muut nimet: | CGH80030D-GP4 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | CGH80030D |
| Saada: | 16.5dB |
| Taajuus: | 8GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet HEMT 28V 200mA 8GHz 16.5dB 30W Die |
| Kuvaus: | RF MOSFET HEMT 28V DIE |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat CGH80030D
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MAGX-002731-100L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 100W 2.7-3.1GHZ | tiedustelu |
 |
PTFA210701FV4FWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 | tiedustelu |
 |
MAGX-001090-600L0S | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR RF 600W GAN | tiedustelu |
 |
NE651R479A-A | CEL | FET RF 8V 1.9GHZ 79A | tiedustelu |
 |
A2T21H100-25SR3 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS TRANS CELL | tiedustelu |
 |
CGHV40050F | Cree/Wolfspeed | FET RF 150V 4GHZ 440193 | tiedustelu |
 |
PD20015S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | tiedustelu |
|
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | tiedustelu |
|
MRF9060LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360 | tiedustelu |
|
MRF374A | NXP USA Inc. | FET RF 70V 863MHZ NI-650 | tiedustelu |
 |
MRF8P8300HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S | tiedustelu |
 |
MRF6V12500HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | tiedustelu |
|
PTFA210601F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog