CMF20120D
CMF20120D
Osa numero:
CMF20120D
Valmistaja:
Cree
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17210 Pieces
Tietolomake:
CMF20120D.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä CMF20120D, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma CMF20120D sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa CMF20120D BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):+25V, -5V
teknologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Toimittaja Device Package:TO-247-3
Sarja:Z-FET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:110 mOhm @ 20A, 20V
Tehonkulutus (Max):215W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 135°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:CMF20120D
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1915pF @ 800V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:90.8nC @ 20V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1200V (1.2kV) 42A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):20V
Valua lähde jännite (Vdss):1200V (1.2kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:42A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit