DDTB123TU-7-F
DDTB123TU-7-F
Osa numero:
DDTB123TU-7-F
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12202 Pieces
Tietolomake:
DDTB123TU-7-F.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DDTB123TU-7-F, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DDTB123TU-7-F sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DDTB123TU-7-F BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
transistori tyyppi:PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SOT-323
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):-
Vastus - Base (R1) (ohmia):2.2k
Virta - Max:200mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-70, SOT-323
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:DDTB123TU-7-F
Taajuus - Siirtyminen:200MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Kuvaus:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 5mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit