DDTC123YUA-7
DDTC123YUA-7
Osa numero:
DDTC123YUA-7
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17047 Pieces
Tietolomake:
DDTC123YUA-7.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DDTC123YUA-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DDTC123YUA-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DDTC123YUA-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:SOT-323
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):10k
Vastus - Base (R1) (ohmia):2.2k
Virta - Max:200mW
Pakkaus:Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case:SC-70, SOT-323
Muut nimet:DDTC123YUA7
DDTC123YUADICT
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:DDTC123YUA-7
Taajuus - Siirtyminen:250MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:33 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit