Ostaa DFE252008C-3R3M=P2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DFE252008C-3R3M=P2
- Osa numero:
- DFE252008C-3R3M=P2
- Valmistaja:
- Murata Electronics
- Kuvaus:
- FIXED IND 3.3UH 1.3A 252 MOHM
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19994 Pieces
- Tietolomake:
- DFE252008C-3R3M=P2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DFE252008C-3R3M=P2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DFE252008C-3R3M=P2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Tyyppi: | Wirewound |
|---|---|
| Toleranssi: | ±20% |
| Toimittaja Device Package: | 1008 (2520 Metric) |
| Koko / Dimension: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| suojaus: | Shielded |
| Sarja: | DFE252008C |
| Arvioinnit: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 1008 (2520 Metric) |
| Muut nimet: | 490-10631-2 |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 85°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiaali - Core: | Powdered Iron |
| Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DFE252008C-3R3M=P2 |
| induktanssi: | 3.3µH |
| Korkeus - Istuva (Max): | 0.031" (0.80mm) |
| Taajuus - Testi: | 1MHz |
| Taajuus - Self Resonant: | - |
| Laajennettu kuvaus: | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 252 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| Kuvaus: | FIXED IND 3.3UH 1.3A 252 MOHM |
| DC Resistance (DCR): | 252 mOhm Max |
| Nykyinen arvostelu: | 1.3A |
| Nykyinen - värikylläisyys: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DFE252008C-3R3M=P2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DFE252008C-1R0M=P2 | Murata Electronics North America | FIXED IND 1UH 2.3A 91 MOHM SMD | tiedustelu |
|
DFE252008C-4R7M=P2 | Murata Electronics North America | FIXED IND 4.7UH 1.1A 438 MOHM | tiedustelu |
 |
DFE252012F-8R2M=P2 | Murata Electronics North America | FIXED IND 8.2UH 1.1A 410 MOHM | tiedustelu |
|
DFE252008C-R47M=P2 | Murata Electronics North America | FIXED IND 470NH 3A 60 MOHM SMD | tiedustelu |
 |
DFE252012P-1R5M=P2 | Murata Electronics North America | FIXED IND 1.5UH 3.5A 60 MOHM SMD | tiedustelu |
|
DFE252008C-1R5M=P2 | Murata Electronics North America | FIXED IND 1.5UH 2A 126 MOHM SMD | tiedustelu |
 |
DFE252010F-R68M=P2 | Murata Electronics North America | FIXED IND 680NH 3.5A 37 MOHM | tiedustelu |
|
DFE252008C-2R2M=P2 | Murata Electronics North America | FIXED IND 2.2UH 1.6A 180 MOHM | tiedustelu |
|
DFE252010P-R68M=P2 | Murata Electronics North America | FIXED IND 680NH 3A 48 MOHM SMD | tiedustelu |
 |
DFE252012R-H-4R7M=P2 | Murata Electronics North America | FIXED IND 4.7UH 1.4A 216 MOHM | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog