DGD2108S8-13
DGD2108S8-13
Osa numero:
DGD2108S8-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19478 Pieces
Tietolomake:
DGD2108S8-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DGD2108S8-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DGD2108S8-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DGD2108S8-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Supply:10 V ~ 20 V
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:-
Rise / Fall Time (tyyppinen):100ns, 35ns
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:DGD2108S8-13DITR
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
input Frequency:2
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:DGD2108S8-13
Logiikkajännite - VIL, VIH:0.6V, 2.5V
Syötetyyppi:Non-Inverting
Korkean Side Voltage - Max (Bootstrap):600V
Porttityyppi:IGBT, N-Channel MOSFET
Laajennettu kuvaus:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
Driven Configuration:Half-Bridge
Kuvaus:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Nykyinen - Peak Output (Source, Sink):290mA, 600mA
Base-Emitter värikylläisyys Jännite (max):Independent
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit