Ostaa DMN10H170SFDE-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMN10H170SFDE-13
- Osa numero:
- DMN10H170SFDE-13
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13189 Pieces
- Tietolomake:
- DMN10H170SFDE-13.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMN10H170SFDE-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN10H170SFDE-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 160 mOhm @ 5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 660mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Muut nimet: | DMN10H170SFDE-13DI |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMN10H170SFDE-13 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1167pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.7nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMN10H170SFDE-13
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | tiedustelu |
 |
DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | tiedustelu |
 |
DMN10H170SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | tiedustelu |
|
DMN10H170SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | tiedustelu |
|
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | tiedustelu |
|
DMN10H170SVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TSOT26 | tiedustelu |
 |
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 12A TO252 | tiedustelu |
|
DMN10H170SVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | tiedustelu |
|
DMN10H170SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog